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七星华创 卧式PECVD平板型等离子增强化学气相淀积系统
产品参数 结构形式:单管或多管卧式热壁型 淀积薄膜:多晶硅、氮化硅、二氧化硅 生产率:100片/炉 膜厚度均匀性:片内 ≤±5％ 片间 ≤±7％ 批间 ≤
七星华创 等离子清洗机
产品参数 腔体尺寸:450mm450mm600mm(WHD) 清洗工件尺寸:300mm120mm10mm(WLH) 反应室极限真空:1Pa 射频电源:13.56MHz 50～600W（可调
七星华创 筒式等离子去胶机
产品参数 刻蚀硅片直径:3″ 极限真空:1.33Pa 工作压力:133～13.3Pa 自动闭环控制 刻蚀速度:100～200nm/min 均匀性:＜5％ 刻蚀深度:
七星华创 M-RIE金属刻蚀系统
产品参数 适合硅片尺寸:6 刻蚀介质:Al/0.5～1％ Si/0.5～4％ Cu、Ti、TiN 刻蚀速度:Al-Si-Cu＞5000埃 TiN＞2000埃 不均匀性:片内 ≤±5％ 片
七星华创 低压化学气相淀积系统（LPCVD）
产品参数 硅片尺寸:适用6″（φ150mm） 装片数量:25～100片/炉管 工作温度范围:350～1100℃ 温区长度及精度:760mm≤±1℃/500mm 温度梯度
七星华创 平板型等离子增强化学气相淀积系统（PECVD）
产品参数 结构形式:平板型 装片能力:Φ50mm 19片 反应室极限真空度:≤0.67Pa 工艺压强范围:13.3～266Pa 淀积温度:200～450℃ 温度精
七星华创 单管双温区立式炉
产品参数 工艺管外径:可配Φ120mm 操作温度:最高1150℃ 上恒温区工作温度:950℃ 下恒温区工作温度:900～1100℃ 上恒温区长度及精度:100mm
七星华创 超高温退火炉
产品参数 工艺管外径:可配Φ260mm 上管工作温度范围:400～1450℃ 下管工作温度范围:400～1250℃ 上管恒温区长度及精度:600～1350℃ 760mm/±0.
七星华创 微控扩散系统
产品参数 工艺管外径:可配2~6英寸 工作温度范围:400～1300℃ 恒温区长度及精度:600～1250℃ 760mm/±0.5℃ 单点温度稳定性:600～1250℃ ±0.5
七星华创 氢气钎焊炉
产品参数 外形形式:立式、卧式、钟罩式 最高温度:根据焊接材料而定，一般最高不超过1300℃ 温度均匀性:±(5-7.5)℃ 电气控制:手动/自动或全手
七星华创 氢气烧结炉
产品参数 外形形式:立式、卧式、钟罩式 最高温度:根据工艺材料而定，一般最高可达到1700℃ 温度均匀性:±(5-7.5)℃ 电气控制:手动/自动或全手
七星华创 真空脱腊烧结炉
产品参数 可选择外形形式:立式、卧式、钟罩式 最高温度:根据客户工艺要求确定，我公司最高指标可达到2200℃ 极限真空度:110[sup]-3[/sup]Pa
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