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七星华创 M-RIE金属刻蚀系统产品介绍
描述：
1. 设备采用集散控制系统。
2. 主机采用工业控制微机。
3. 可通过以太网与工作站联网。
4. 主要结构为一个六边形传送室，两个片盒室，配有刻蚀反应室，边检室，去胶室。
产品选型详见订货须知。
七星华创 M-RIE金属刻蚀系统技术参数
产品参数适合硅片尺寸：6刻蚀介质：Al/0.5～1％ Si/0.5～4％ Cu、Ti、TiN刻蚀速度：Al-Si-Cu＞5000埃 TiN＞2000埃不均匀性：片内 ≤±5％ 片间 ≤±5％CD控制：＜0.05μm剖面控制：≥85°选择性：Al : PR ＞ 2 : 1 , Ti/TiN : SiO[sub]2[/sub] ＞ 8 : 1 , Ti/TiN : BPSG ＞ 6 : 1真空度：反应室 5E-4 Pa ，硅片传送室及片盒室10 Pa终点检测：计算机数据处理，全自动终点控制。联系七星华创
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| 电话： | 010-64361831 |
| 传真： | 010-64362923 |
| 地址： | 北京市朝阳区酒仙桥东路1号 |
卧式PECVD平板型等离子增强化学气相淀积系统
D07-9EM/ZM质量流量计
D07-7BM/ZM质量流量计
D07-20M/ZM质量流量计
D07-19AM/ZM质量流量计
D07-9N/ZM 质量流量计
北京市朝阳区广渠门外大街8号优士阁B座1703 电话: 010-58612588 传真: 010-58612665
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