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控制系统
卧式PECVD平板型等离子增强化学气相淀积系统

七星华创  卧式PECVD平板型等离子增强化学气相淀积系统

产品参数 结构形式:单管或多管卧式热壁型 淀积薄膜:多晶硅、氮化硅、二氧化硅 生产率:100片/炉 膜厚度均匀性:片内 ≤±5% 片间 ≤±7% 批间

品牌:七星华创
产地:北京
等离子清洗机

七星华创  等离子清洗机

产品参数 腔体尺寸:450mm450mm600mm(WHD) 清洗工件尺寸:300mm120mm10mm(WLH) 反应室极限真空:1Pa 射频电源:13.56MHz 50~600

品牌:七星华创
产地:北京
筒式等离子去胶机

七星华创  筒式等离子去胶机

产品参数 刻蚀硅片直径:3″ 极限真空:1.33Pa 工作压力:133~13.3Pa 自动闭环控制 刻蚀速度:100~200nm/min 均匀性:<5% 刻蚀深度:

品牌:七星华创
产地:北京
M-RIE金属刻蚀系统

七星华创  M-RIE金属刻蚀系统

产品参数 适合硅片尺寸:6 刻蚀介质:Al/0.5~1% Si/0.5~4% Cu、Ti、TiN 刻蚀速度:Al-Si-Cu>5000埃 TiN>2000埃 不均匀性:片内 ≤±5% 片

品牌:七星华创
产地:北京
低压化学气相淀积系统(LPCVD)

七星华创  低压化学气相淀积系统(LPCVD)

产品参数 硅片尺寸:适用6″(φ150mm) 装片数量:25~100片/炉管 工作温度范围:350~1100℃ 温区长度及精度:760mm≤±1℃/500mm 温度梯度

品牌:七星华创
产地:北京
平板型等离子增强化学气相淀积系统(PECVD)

七星华创  平板型等离子增强化学气相淀积系统(PECVD)

产品参数 结构形式:平板型 装片能力:Φ50mm 19片 反应室极限真空度:≤0.67Pa 工艺压强范围:13.3~266Pa 淀积温度:200~450℃ 温度精

品牌:七星华创
产地:北京
单管双温区立式炉

七星华创  单管双温区立式炉

产品参数 工艺管外径:可配Φ120mm 操作温度:最高1150℃ 上恒温区工作温度:950℃ 下恒温区工作温度:900~1100℃ 上恒温区长度及精度:100m

品牌:七星华创
产地:北京
超高温退火炉

七星华创  超高温退火炉

产品参数 工艺管外径:可配Φ260mm 上管工作温度范围:400~1450℃ 下管工作温度范围:400~1250℃ 上管恒温区长度及精度:600~1350℃ 760mm/±

品牌:七星华创
产地:北京
微控扩散系统

七星华创  微控扩散系统

产品参数 工艺管外径:可配2~6英寸 工作温度范围:400~1300℃ 恒温区长度及精度:600~1250℃ 760mm/±0.5℃ 单点温度稳定性:600~1250℃ ±0

品牌:七星华创
产地:北京
氢气钎焊炉

七星华创  氢气钎焊炉

产品参数 外形形式:立式、卧式、钟罩式 最高温度:根据焊接材料而定,一般最高不超过1300℃ 温度均匀性:±(5-7.5)℃ 电气控制:手动/自动或全手

品牌:七星华创
产地:北京
氢气退火炉

七星华创  氢气退火炉

产品参数 外形形式:立式、卧式、钟罩式 最高温度:根据客户工艺要求确定,我公司指标可达到1200℃ 温度均匀性:±5℃ 电气控制:手动/自动或全手

品牌:七星华创
产地:北京
氢气烧结炉

七星华创  氢气烧结炉

产品参数 外形形式:立式、卧式、钟罩式 最高温度:根据工艺材料而定,一般最高可达到1700℃ 温度均匀性:±(5-7.5)℃ 电气控制:手动/自动或全手

品牌:七星华创
产地:北京
真空退火炉

七星华创  真空退火炉

产品参数 可选择外形形式:立式、卧式、钟罩式 最高温度:根据客户工艺要求确定,我公司最高指标可达到2200℃ 极限真空度:根据客户工艺要求确定,我

品牌:七星华创
产地:北京
真空脱腊烧结炉

七星华创  真空脱腊烧结炉

产品参数 可选择外形形式:立式、卧式、钟罩式 最高温度:根据客户工艺要求确定,我公司最高指标可达到2200℃ 极限真空度:110[sup]-3[/sup]Pa

品牌:七星华创
产地:北京
真空钎焊炉

七星华创  真空钎焊炉

产品参数 可选择外形形式:立式、卧式、钟罩式 最高温度:根据焊接材料而定,留有空烧裕量,一般最高不超过1300℃ 极限真空度:根据焊接工艺条件而定,

品牌:七星华创
产地:北京
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