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七星华创低压化学气相淀积系统（LPCVD）

品牌：七星华创

生产商：北京七星华创电子股份有限公司

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七星华创低压化学气相淀积系统（LPCVD）产品介绍

产品介绍：

设备用于6″（φ150mm）硅片淀积Si₃N₄、SiO₂、Poly-Si、PSG、BPSG等薄膜生长工艺。

描述：

1. 用工业微机对工艺时间、温度、气体流量、阀门动作、反应室压力实现自动控制。
2. 采用进口压力控制系统，闭环控制，稳定性高。
3. 采用进口耐腐蚀不锈钢管件、阀门，确保气路气密性。
4. 具有完善的报警功能及安全互锁装置。
5. 具有良好的人机界面，灵活的工艺性能。

七星华创低压化学气相淀积系统（LPCVD）技术参数

产品参数硅片尺寸：适用6″（φ150mm）装片数量：25～100片/炉管工作温度范围：350～1100℃温区长度及精度：760mm≤±1℃/500mm温度梯度：0～30℃/500mm可调系统极限真空度：0.7Pa(6×10[sup]-3[/sup]乇)工作压力范围：67Pa～133Pa可调淀积膜种类：Si3N4、Poly-Si、SiO2淀积膜均匀性：Si3N4 片内 ±5％片间 ±5％批间 ±5％淀积膜均匀性：Poly-Si 片内 ±5％片间 ±5％批间 ±5％淀积膜均匀性：SiO2 片内 ±5％片间 ±6％批间 ±6％淀积膜厚度：1000～6000埃