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七星华创 反应离子刻蚀机(RIE)

品牌:七星华创
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七星华创 反应离子刻蚀机(RIE)产品介绍

产品介绍:


设备用于2″~6″硅片0.8~0.35μm工艺,此类设备可广泛应用于半导体器件、电力电子器件、光电子、太阳能电池、微机械等诸多领域。


描述:


反应离子刻蚀是指利用能与被刻蚀材料起化学反应的气体,通过辉光放电使之形成低温等离子体,对晶片表面未被掩蔽部分进行腐蚀的设备,是利用活性离子对衬底的物理轰击与化学反应的双重作用进行刻蚀。
本设备主要有计算机控制系统、射频系统、分子泵真空系统、压力控制系统、工艺管路系统、恒温水循环系统组成。设备操作简便,工艺参数显示、控制、查找方便清晰。设备配置合理,可靠性高。

七星华创 反应离子刻蚀机(RIE)技术参数

产品参数适用晶片尺寸:2″~6″刻蚀线宽:0.8~0.35μm刻蚀介质:氮化硅、多晶硅、砷化镓、磷化铟及铝等多种介质刻蚀速率:3000~6000埃/分均匀性:±5%选择比:5:1反应机理:RIE工作压力:0.1~1乇结构形式:可配真空锁、机械手传片,平行平板型

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