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SigmaTel推出RDI技术,实现C-Major音频编解码器   [2003-09-23]
在近日举行的英特尔开发者论坛上,AC’97电脑音频编解码器供应商SigmaTel公司宣布推出RDI解决方案。RDI提供Universal Jacks实时安装和配置技术,符合当前的AC’97 2.3+标准以及未来的Azalia音频标准,系统设计人员可以将重点放在加快产品面世时间和简便实现上。 英特尔Aza...    [阅读全文]
 
 
TI将在IDF上演示全球首款PCI Express至PCI桥接器   [2003-09-23]
德州仪器(TI)日前表示,将在圣何塞举办的英特尔开发商论坛上演示PCI Express开发平台,以印证其对PCI Express技术开发及部署所作的承诺。在IDF上,TI将把PCI Express至PCI桥接器与英特尔的开发平台以及TI基于1394b PCI的解决方案一起进行演示。 据悉,PCI Express是一款新...    [阅读全文]
 
 
嵌入式无线厂商Wavecom加入Symbian OS阵营   [2003-09-23]
嵌入式GSM无线厂商Wavecom日前加入了Symbian的伙伴计划(partner program),而且将推出采用Symbian移动操作系统(OS)的无线产品。 业界人士表示,这对两家公司都有意义。对于Symbian来说,Wavecom是一个重要的嵌入无线系统伙伴,而且来得正是时候,因为自从摩托罗拉转让持有...    [阅读全文]
 
 
专家警告称,光罩合格率过低正在成为严重的问题   [2003-09-23]
出席光罩技术研讨会(Bacus Symposium on Photomask Technology)的专家认为,虽然光罩成本不断飙升成为近日人们关注的问题,但更大的危机正在酝酿之中:光罩合格率不高。 芯片制造联盟Sematech的资深研究员Walter Trybula表示,130纳米“全规格”光罩,第三轮加工累积合格率...    [阅读全文]
 
 
英特尔在IDF上发布服务器“至强处理器”产品计划   [2003-09-23]
在今天的英特尔开发者论坛上,英特尔公司高级副总裁Mike Fister在为技术行业工程师和开发人员所做的讲演中,探讨了市场对更好、更快、更有价值的企业解决方案的需求。 Fister通过列举公司在高性能计算(HPC)、可管理性、模块化、英特尔平台和未来技术等方面的创新,介绍了...    [阅读全文]
 
 
深圳桑海通成为Bitfone公司在中国的分销商   [2003-09-23]
无线行业中通过空中传输来更新移动电话操作系统技术的主要厂商—Bitfone公司日前宣布,选择深圳市桑海通投资有限公司作为其在中国市场的合作伙伴。 Bitfone表示,其mProve是世界上第一种提供可靠的、通过空中传输(OTA)方式更新移动设备固件的技术。它扩展了无线制造商和...    [阅读全文]
 
 
OBSAI推出标准基站参考设计,简化移动基站设计   [2003-09-23]
由40多家电信和半导体公司组成的OBSAI (Open Base Station Architecture Initiative)一直计划推出一系列接口标准,简化移动基站的设计,并有意将其作为为公开的行业标准。经过一年的工作,该组织日前推出了第一批规范。 尽管OBSAI并不包括主要的基站供应商爱立信,该组织...    [阅读全文]
 
 
Atmel公司采用ARM926EJ-S内核,用于系统级芯片设计   [2003-09-23]
Atmel最近获得ARM926EJ-S 32位Risc处理器内核许可,用于开发该公司的下一代系统级芯片(SoC)产品。这些SoC将会采用130nm工艺实现,包括标准产品和客户可定制产品,系统基于ARM926EJ-S内核。 Atmel将在公司的SiliconCITY平台产品中使用ARM926EJ-S内核,这些产品应用于GPS、远...    [阅读全文]
 
 
英特尔描绘无线笔记本电脑、手机和PDA新蓝图   [2003-09-23]
在美国加州圣塔克拉拉市举办的英特尔开发者论坛上,英特尔公司向与会者描绘了该公司下一代无线移动产品计划,包括英特尔奔腾M处理器的改进版、代码为Dothan的处理器;代码为Sonoma的基于迅驰移动计算技术的计算平台,和即将面世的基于英特尔XScale技术、面向蜂窝电话及PDA...    [阅读全文]
 
 
飞利浦与IMEC成功开发出65nm CMOS技术的器件   [2003-09-22]
飞利浦(Philips)和微米及纳米电子研究中心IMEC日前共同宣布,成功制造出具有良好电气性能的65nm CMOS器件。 这种65nm技术基于平面90nm bulk CMOS技术缩小版。器件具有45nm门极长度,等效氧化层厚度为14nm,多晶硅厚度为100nm,结深小于20nm。 飞利浦高级副总裁Dr. Carel v...    [阅读全文]
 
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