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七星华创 平板型等离子增强化学气相淀积系统(PECVD)

品牌:七星华创
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七星华创 平板型等离子增强化学气相淀积系统(PECVD)产品介绍

产品介绍:


设备用于2"~6"硅片淀积SiO2、Si3N4等工艺。


描述:


1.设备除装卸片方式为手动外,控制微机对工艺过程及全部参数自动控制。
2.具有良好的工艺性能,使用范围广泛。
产品选型详见订货须知。

七星华创 平板型等离子增强化学气相淀积系统(PECVD)技术参数

产品参数结构形式:平板型装片能力:Φ50mm 19片反应室极限真空度:≤0.67Pa工艺压强范围:13.3~266Pa淀积温度:200~450℃温度精度:±2℃(φ200mm内)RF电源:13.56MHz 500~600W生长速度:氮化硅 50~150埃;氧化硅 100~300埃膜厚均匀性:片内 ≤±3% 片间 ≤±3% 批间 ≤±3%

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