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七星华创 真空脱腊烧结炉
产品参数 可选择外形形式:立式、卧式、钟罩式 最高温度:根据客户工艺要求确定，我公司最高指标可达到2200℃ 极限真空度:110[sup]-3[/sup]Pa
七星华创 双人净化台
净化级别:100级 平均风速:0.4～0.6（m/s） 气流状态:垂直层流 振动:X、Y、Z方向≤3μm 噪声:≤60分贝 照明:普通日光灯，照明充足
七星华创 净化存储柜
产品参数 净化级别:100级 平均风速:0.25～0.45（m/s） 工作区尺寸:920mm350mm1315mm（宽深高） 外形尺寸:1000mm815mm1850mm（宽深高）
七星华创 D41-11C/ZM四探针电阻率测试仪
产品参数 适用晶片尺寸:2 电阻率:6E-3～5E4（Ω·cm） 测量精度:（1～100）Ω·cm ≤±3％，高阻、低阻≤±5％ 薄层电阻:1E-1～9E5（Ω/□） 测
七星华创 台面腐蚀机
产品参数 形式:全自动形式 外形尺寸:3100mmmm1400mmmm2500mm（长宽高） 适用硅片:4 装片能力:50片/批 （2花篮，25片/花篮） 工作区洁
七星华创 全自动清洗机
产品参数 形式:全自动形式 外形尺寸:3000mm1600mm2860mm（长宽高） 适用硅片:6" 装片能力:50片/批 （2花篮，25片/花篮） 工作区洁净
七星华创 显影机
产品参数 形式:全自动形式 外形尺寸:3500mmmm2000mmmm1800mm（长宽高） 适用硅片:4″ 装片能力:50片/批 （2花篮，25片/花篮） 工作区
七星华创 反应离子刻蚀机（RIE）
产品参数 适用晶片尺寸:2″～6″ 刻蚀线宽:0.8～0.35μm 刻蚀介质:氮化硅、多晶硅、砷化镓、磷化铟及铝等多种介质 刻蚀速率:3000～6000埃/分
七星华创 真空烧结炉
产品参数 外形形式:可选择立式、卧式、钟罩式 最高温度:根据客户工艺要求确定，我公司最高指标可达到2200℃ 极限真空度:110[sup]-3[/sup]Pa
七星华创 真空铝钎焊炉
产品参数 外形形式:可选择立式、卧式、钟罩式 最高温度:700℃-1300℃ 极限真空度:610[sup]-4[/sup]Pa（根据工艺条件确定，一般情况下110[sup]-3
七星华创 空气保护炉（彩管）
产品参数 工件传动方式:可选择网带式、链式、底辊式 加热方式:可选择风机搅拌热气循环方式、加热器直接辐射方式 最高温度:根据不同行业而定，一般
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